作為中微第一代電介質刻蝕產品，Primo DRIE?是12英寸雙反應臺多反應腔主機系統，可靈活裝置多達三個雙反應臺反應腔（六個反應臺）。每個反應腔都可以同時加工兩片晶圓。該設備運用了中微具有自主知識產權的創新技術，包括甚高頻和低頻混合射頻去耦合反應等離子體源、等離子體隔離環、以及用于控制腔體內反應環境的先進工藝組件。Primo DRIE刻蝕設備可用于加工包括氧化硅、氮化硅及低介電系數膜層等所有的電介質材料。Primo DRIE于2007年發布之后，由于其較低的生產成本、較高的生產效率和優異的芯片加工性能，已在國際主流芯片生產線上投入量產。