Primo AD-RIE?是中微第二代電介質刻蝕產品。基于已被認可的Primo D-RIE?刻蝕設備，Primo AD-RIE應用了具有自主知識產權的新設計，配備了可切換雙低頻射頻源，優化了上電極氣流分布以及下電極溫控系統。為了優化生產效率，Primo AD-RIE系統同樣可以靈活地裝置多達三個雙反應臺反應腔（即六個反應臺）。Primo AD-RIE具備能夠滿足新一代芯片器件制造需求的先進性能，目前已被廣泛應用于40到14納米后段制程。
此外，中微基于Primo AD-RIE開發了子系列產品Primo AD-RIE-e和Primo AD-RIE-cr。Primo AD-RIE-e配備了自主研發的四區動態靜電吸盤，每一制程步驟可獨立進行控溫，以達到更高的刻蝕均勻度和刻蝕選擇比，目前已應用于5納米前段和中段的掩膜層刻蝕的開發及量產。Primo AD-RIE-cr配備了擁有自主知識產權涂層技術的抗腐蝕反應腔，可應對電介質材料、金屬及金屬氧化物材料復雜結構的刻蝕要求。
為40到7納米芯片制造提供創新的刻蝕解決方案
雙反應臺腔體設計具有更高的產出效率
雙低頻功率切換系統，用于制程分步驟優化
脈沖射頻系統選項
多區氣體分配調節系統
靜電吸盤雙區冷卻裝置
低金屬污染工藝組件選項
每一步驟可獨立進行控溫的四區動態靜電吸盤 （Primo AD-RIE-e）
擁有自主知識產權涂層技術的抗腐蝕反應腔 （Primo AD-RIE-cr）
一體整合的除膠能力及表面電荷減除能力 （Primo iDEA?系統）
雙低頻率分步驟切換系統，以適用于更廣的制程范圍（特別是Trench/Via All-in-one制程）
優異的工藝可調性和穩定性，以滿足先進工藝標準
高生產效率，低生產成本（CoO）
擴展機型Primo AD-RIE-e, Primo AD-RIE-cr 和 Primo iDEA?，可應用于不同特殊制程
