Primo Twin-Star? 是中微基于電感耦合（ICP）技術研發的 12 英寸刻蝕設備。它可以配置多達三個具有雙反應臺的刻蝕反應腔和兩個可選的除膠反應腔。每個刻蝕反應腔可同時加工一片或兩片晶圓并取得高度均勻和一致的結果。ICP 發射天線采用了中微具有自主知識產權的低電容耦合 3D 線圈設計，可實現對離子濃度和離子能量的高度獨立控制。設備還采用了可實現多區動態溫控的靜電吸盤，使加工出的集成電路器件的關鍵尺寸達到高度均勻性。反應腔內部涂有高致密性、耐等離子體侵蝕材料，以獲得更高的工藝重復性和生產率。Primo Twin-Star? 適用于各種尺寸和深度的硅結構刻蝕以及邏輯和存儲芯片的多種導體和介質薄膜刻蝕。此外，該產品和單反應臺腔體相比還具有明顯的低成本優勢。