Primo nanova?是中微基于電感耦合（ICP）技術研發的12英寸刻蝕設備。它可以配置多達六個刻蝕反應腔和兩個可選的除膠反應腔。其中刻蝕反應腔采用了軸對稱設計，具有高反應氣體通量。ICP發射天線采用了中微具有自主知識產權的低電容耦合3D線圈設計，可實現對離子濃度和離子能量的高度獨立控制。反應腔內部涂有高致密性、耐等離子體侵蝕材料，以獲得更高的工藝重復性和生產率。設備還采用了多區細分的高動態范圍溫控靜電吸盤，使加工出的集成電路器件的關鍵尺寸達到高度均勻性。Primo nanova適用于1X納米及以下的邏輯和存儲器件的刻蝕應用。